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第二个峰的d间距几乎是第一个峰的两倍,古推这表明这两个峰都属于同一个衍射面族。第二个最高的峰出现在2.2Å附近,动光度柔动可归于Sn-Cl化学键,说明在大量Cl-存在的情况下沉积的SnO2含有大量直接与Sn阳离子结合的Cl-离子。
为了探究Cl-bSO是否是FASnClx中间层形成的关键因素,储直本工作采用表面敏感掠入射XAFS方法研究了SnO2与FAPbI3钙钛矿界面附近。因此,技术建筑我们在FTO上沉积了Cl-bSOETL,在乙醇中溶解SnCl2·2H2O或去离子水中溶解SnCl4后,采用旋涂或化学浴沉积。该器件在500小时后,应用用能电保持了约90%的初始效率,与其他高效PSCs相当。
这一结果可能为PSCs高效、实现稳定的光电极制备和设计提供新的策略。作为比较,网调图2b显示了将Cl-cPP溶液应用于异丙醇溶解的Sn(IV)异丙醇和SnK边XAFS的傅里叶变换特征。
总之,性互本工作发现在Cl-bSO电极上包覆Cl-cPP制备钙钛矿薄膜时,钙钛矿与电极之间形成了结晶厚度约为2nm的FASnClx中间层。
成果简介近日,内蒙来自韩国浦项科技大学MinGyuKim和韩国蔚山国立科学技术院TaeJooShin、内蒙SangIlSeok课题组,报道了钙钛矿薄膜和用含Cl的FAPbI3钙钛矿前驱体(Cl-cPP)溶液涂覆的Cl-键合SnO2 (Cl-bSO)电极之间的相干夹层的形成。古推三所高校自建国以来就是材料科学与工程人才重要培养基地(尤其是金属材料方面)。
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